Différence entre BJT et IGBT
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BJT vs IGBT
BJT (transistor à jonction bipolaire) et IGBT (transistor à porte bipolaire à porte isolée) sont deux types de transistors utilisés pour contrôler les courants. Les deux appareils ont des jonctions PN et une structure d'appareil différente. Bien que les deux soient des transistors, ils présentent des différences significatives de caractéristiques.
BJT (Transistor De Jonction Bipolaire)
BJT est un type de transistor constitué de deux jonctions PN (une jonction réalisée en connectant un semi-conducteur de type p et un semi-conducteur de type n). Ces deux jonctions sont formées en connectant trois pièces semi-conductrices de l'ordre de P-N-P ou N-P-N. Par conséquent, deux types de BJT, appelés PNP et NPN, sont disponibles..
Trois électrodes sont connectées à ces trois parties semi-conductrices et le conducteur central est appelé "base". Les deux autres jonctions sont "émetteur" et "collecteur".
En BJT, émetteur grand collecteur (Ic) le courant est contrôlé par le petit courant émetteur de base (IB), et cette propriété est exploitée pour concevoir des amplificateurs ou des commutateurs. Par conséquent, il peut être considéré comme un appareil piloté par le courant. Le BJT est principalement utilisé dans les circuits amplificateurs.
IGBT (transistor bipolaire à porte isolée)
L'IGBT est un dispositif semi-conducteur à trois bornes, appelé «émetteur», «collecteur» et «porte». Il s’agit d’un type de transistor capable de gérer une plus grande quantité de puissance et une vitesse de commutation plus élevée, ce qui le rend très efficace. IGBT a été introduit sur le marché dans les années 1980.
L'IGBT présente les caractéristiques combinées d'un transistor MOSFET et d'un transistor à jonction bipolaire (BJT). Il est commandé par la porte comme un MOSFET et a des caractéristiques de tension actuelles comme les BJT. Par conséquent, il présente à la fois les avantages d’une capacité de traitement en courant élevé et d’une grande facilité de contrôle. Les modules IGBT (composés de plusieurs périphériques) traitent des kilowatts de puissance.
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Différence entre BJT et IGBT 1. Le BJT est un dispositif commandé par le courant, alors que l'IGBT est commandé par la tension de grille 2. Les terminaux IGBT sont appelés émetteur, collecteur et grille, alors que BJT est constitué d’émetteur, de collecteur et de base.. 3. Les IGBT ont une meilleure tenue en puissance que le BJT 4. IGBT peut être considéré comme une combinaison de BJT et d’un FET (Transistor à effet de champ) 5. IGBT a une structure d'appareil complexe comparée à BJT 6. BJT a une longue histoire comparée à l'IGBT
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