Différence entre MOSFET et BJT

MOSFET vs BJT

Le transistor est un dispositif électronique à semi-conducteur qui émet un signal de sortie électrique qui varie considérablement pour les petits changements de signaux d’entrée. En raison de cette qualité, l'appareil peut être utilisé comme amplificateur ou commutateur. Transistor a été publié dans les années 1950 et peut être considéré comme l’une des plus importantes inventions du XXe siècle compte tenu de sa contribution à la technologie de l’information. C'est un dispositif qui évolue rapidement et de nombreux types de transistors ont été introduits. Le transistor à jonction bipolaire (BJT) est le premier type et le transistor à effet de champ à semi-conducteur à oxyde métallique (MOSFET) est un autre type de transistor introduit ultérieurement.

Transistor De Jonction Bipolaire (BJT)

Le BJT consiste en deux jonctions PN (une jonction réalisée en connectant un semi-conducteur de type p et un semi-conducteur de type n). Ces deux jonctions sont formées en connectant trois pièces semi-conductrices de l'ordre de P-N-P ou N-P-N. Par conséquent, deux types de BJT connus comme PNP et NPN sont disponibles.

Trois électrodes sont connectées à ces trois parties semi-conductrices et le conducteur central est appelé "base". Les deux autres jonctions sont "émetteur" et "collecteur".

En BJT, le courant du grand collecteur émetteur (Ic) est contrôlé par le courant de la base émettrice de base (IB) et cette propriété est exploitée pour concevoir des amplificateurs ou des commutateurs. Par conséquent, il peut être considéré comme un appareil piloté par le courant. Le BJT est principalement utilisé dans les circuits amplificateurs.

Transistor à effet de champ (MOSFET) à semi-conducteur d'oxyde métallique

MOSFET est un type de transistor à effet de champ (FET), composé de trois terminaux appelés «Gate», «Source» et «Drain». Ici, le courant de drain est contrôlé par la tension de grille. Par conséquent, les MOSFET sont des dispositifs à tension contrôlée.

Les MOSFET sont disponibles en quatre types différents, tels que n canaux ou p canaux, en mode épuisement ou amélioration. Le drain et la source sont constitués de semi-conducteurs de type n pour les MOSFET à canal, et de la même manière pour les dispositifs à canal p. La porte est en métal et séparée de la source et du drain en utilisant un oxyde métallique. Cette isolation entraîne une faible consommation d'énergie et constitue un avantage pour MOSFET. Par conséquent, MOSFET est utilisé dans la logique CMOS numérique, où les MOSFET à canal p et n sont utilisés comme blocs de construction pour réduire la consommation d'énergie au minimum..

Bien que le concept de MOSFET ait été proposé très tôt (en 1925), il a été pratiquement mis en œuvre en 1959 dans les laboratoires Bell..