Différence entre PROM et EPROM

PROM vs EPROM

En électronique et en informatique, les éléments de mémoire sont essentiels pour stocker les données et les récupérer par la suite. Dans les premiers temps, des bandes magnétiques étaient utilisées comme mémoire et, avec la révolution des semi-conducteurs, des éléments de mémoire étaient également développés à base de semi-conducteurs. EPROM et EEPROM sont des types de mémoires à semi-conducteurs non volatiles.

Si un élément de mémoire ne peut pas conserver de données après avoir été déconnecté de l’alimentation, il est appelé un élément de mémoire volatile. Les PROM et les EPROM étaient des technologies pionnières dans les cellules de mémoire non volatiles (c’est-à-dire qu’elles sont capables de conserver des données après s’être déconnectées de l’alimentation), ce qui a conduit au développement de dispositifs de mémoire à semi-conducteurs modernes.         

Qu'est-ce que PROM??

PROM signifie Mémoire en lecture seule programmable, un type de mémoire non volatile créée par Weng Tsing Chow en 1959 à la demande de l'US Air Force comme alternative à la mémoire des modèles Atlas E et F ICBM embarqués sur un ordinateur numérique. Ils sont également connus sous le nom de mémoire non volatile programmable une fois (NVP OTP) et la mémoire en lecture seule programmable sur site (FPROM). Actuellement, ils sont largement utilisés dans les microcontrôleurs, les téléphones mobiles, les cartes d'identification par radiofréquence (RFID), les interfaces multimédia haute définition (HDMI) et les contrôleurs de jeux vidéo..

Les données écrites sur une PROM sont permanentes et ne peuvent pas être modifiées. par conséquent, ils sont couramment utilisés en tant que mémoire statique, telle que le micrologiciel des périphériques. Les premières puces du BIOS de l'ordinateur étaient également des puces PROM. Avant la programmation, la puce ne contient que des bits de valeur un «1». Dans le processus de programmation, seuls les bits requis sont convertis en zéro «0» en soufflant chaque bit de fusible. Une fois la puce programmée, le processus est irréversible. donc, ces valeurs sont immuables et permanentes.

Sur la base de la technologie de fabrication, les données peuvent être programmées au niveau de la tranche, du test final ou de l'intégration du système. Celles-ci sont programmées à l'aide d'un programmateur PROM qui fait sauter les fusibles de chaque bit en appliquant une tension relativement importante pour programmer la puce (généralement 6 V pour une couche de 2 nm d'épaisseur). Les cellules PROM sont différentes des ROM; elles peuvent être programmées même après la fabrication, alors que les ROM ne peuvent être programmées qu'à la fabrication.

Qu'est ce que l'EPROM??

EPROM signifie Mémoire effaçable programmable en lecture seule, également une catégorie de dispositifs de mémoire non volatile qui peuvent être programmés et également effacés. L’EPROM a été développée par Dov Frohman chez Intel en 1971 sur la base d’une enquête sur des circuits intégrés défectueux dans lesquels les connexions de porte des transistors étaient rompues..

Une cellule de mémoire EPROM est une vaste collection de transistors à effet de champ à grille flottante. Les données (chaque bit) sont écrites sur des transistors à effet de champ individuels à l'intérieur de la puce à l'aide d'un programmateur qui crée des contacts de drain de source à l'intérieur. Sur la base de l'adresse de cellule, un FET particulier stocke des données et des tensions beaucoup plus élevées que les tensions de fonctionnement normales du circuit numérique utilisées dans cette opération. Lorsque la tension est supprimée, les électrons sont piégés dans les électrodes. En raison de sa très faible conductivité, le dioxyde de silicium (SiO₂) la couche isolante entre les portes préserve la charge pendant de longues périodes, conservant ainsi la mémoire pendant dix à vingt ans.   

Une puce EPROM est effacée par exposition à une source UV puissante telle qu'une lampe à vapeur de mercure. L’effacement peut être effectué à l’aide d’une lumière UV de longueur d’onde inférieure à 300 nm et exposée pendant 20 à 30 minutes à courte distance (<3cm). For this, EPROM package is built with a fused quartz window that exposes the silicon chip to the light. Therefore, an EPROM is easily identifiable from this characteristic fused quartz window. Erasure can be done using X-rays too.

Les EPROM sont essentiellement utilisées comme mémoire statique dans les grands circuits. Ils étaient largement utilisés comme puces BIOS dans les cartes mères d’ordinateurs, mais ils sont remplacés par de nouvelles technologies telles que la mémoire EEPROM, qui sont moins chères, plus petites et plus rapides..

Quelle est la difference entre PROM et EPROM?

• PROM est l’ancienne technologie alors que PROM et EPROM sont des dispositifs de mémoire non volatile..

• Les PROM ne peuvent être programmées qu'une seule fois, alors que les EPROM sont réutilisables et peuvent être programmées plusieurs fois..

• le processus de programmation de PROMS est irréversible; par conséquent, la mémoire est permanente. Dans les mémoires EPROM, la mémoire peut être effacée par exposition aux rayons ultraviolets.

• Les EPROM ont une fenêtre en quartz fondu dans l'emballage pour le permettre. Les PROM sont enfermés dans un emballage plastique complet; les UV n'ont donc aucun effet sur les PROM

• Dans les PROM, les données sont écrites / programmées sur la puce en faisant sauter les fusibles à chaque bit en utilisant des tensions beaucoup plus élevées que les tensions moyennes utilisées dans les circuits numériques. Les EPROMS utilisent également la haute tension, mais pas suffisamment pour modifier la couche de semi-conducteur de façon permanente.